On en entend souvent parler, en voici la raison fondamentale, inhérente au fonctionnement même des transistors à effet de champ à grille flottante (FG-FET) utilisées dans tous les supports de mémoire flash (persistante).

(après que la mémoire soit NAND ou NOR, ce n’est pas important : l’un ou l’autre traduit simplement le branchement des transistors entre eux au sein de la puce mémoire : en série ou en parallèle respectivement)

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